(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные MSC025SMA120S
Изображение служит лишь для справки
MSC025SMA120S
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- D3PAK-3
- MOSFET UNRLS, FG, SIC MOSFET, TO-268View in Development Tools Selector
Date Sheet
Lagernummer 190
- 1+： $29.73213
- 10+： $28.04917
- 100+： $26.46149
- 500+： $24.96367
- 1000+： $23.55063
Zwischensummenbetrag $29.73213
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：D3PAK-3
- Вид крепления：Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства：D3PAK
- РХОС：Details
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Полярность транзистора：N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：1.2 kV
- Id - Непрерывный ток разряда：89 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：31 mOhms
- Усв：- 10 V, + 23 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：1.8 V
- Зарядная характеристика ворот：232 nC
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Распад мощности：370 W
- Режим канала：Enhancement
- Пакетная партия производителя：1
- Вес единицы：0.218699 oz
- Прямоходящий ток вывода Id：89
- Пакет：Tube
- Основной номер продукта：MSC025
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：89A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：-
- Mfr：Microchip Technology
- Максимальная мощность рассеяния：-
- Состояние продукта：Active
- Пакетирование：Tube
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Серия：-
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：370
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：-
- Втс(th) (Макс) @ Id：-
- Напряжение стока-исток (Vdss)：1200 V
- Угол настройки (макс.)：-
- Канальный тип：N
- Характеристика ТРП：-
Со склада 190
- 1+： $29.73213
- 10+： $28.04917
- 100+： $26.46149
- 500+： $24.96367
- 1000+： $23.55063
Итого $29.73213
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
