(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные APT50M75LLLG
Изображение служит лишь для справки
APT50M75LLLG
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-264-3
- MOSFET POWER MOS 7 MOSFETView in Development Tools Selector
Date Sheet
Lagernummer 48
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-264-3
- Вид крепления：Through Hole
- Поставщик упаковки устройства：TO-264 [L]
- РХОС：Details
- Монтажные варианты：Through Hole
- Полярность транзистора：N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：500 V
- Id - Непрерывный ток разряда：57 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：75 mOhms
- Усв：- 30 V, + 30 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3 V
- Зарядная характеристика ворот：125 nC
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Распад мощности：570 W
- Режим канала：Enhancement
- Пакетная партия производителя：1
- Время задержки отключения типичного：21 ns
- Время типичного задержки включения：8 ns
- Вес единицы：0.352740 oz
- Пакет：Tube
- Основной номер продукта：APT50M75
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：57A (Tc)
- Mfr：Microchip Technology
- Состояние продукта：Active
- Пакетирование：Tube
- Серия：POWER MOS 7®
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：75mOhm @ 28.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 2.5mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：5590 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：125 nC @ 10 V
- Время подъема：19 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：500 V
- Тип транзистора：1 N-Channel
- Характеристика ТРП：-
Со склада 48
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
