(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные APT50M50L2LLG
Изображение служит лишь для справки
APT50M50L2LLG
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-264-3
- MOSFET FG, MOSFET, 500V, TO-264 MAX, RoHSView in Development Tools Selector
Date Sheet
Lagernummer 23
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-264-3
- Вид крепления：Through Hole
- Поставщик упаковки устройства：264 MAX™ [L2]
- РХОС：Details
- Монтажные варианты：Through Hole
- Полярность транзистора：N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：500 V
- Id - Непрерывный ток разряда：89 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：50 mOhms
- Усв：- 30 V, + 30 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3 V
- Зарядная характеристика ворот：200 nC
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Распад мощности：893 W
- Режим канала：Enhancement
- Пакетная партия производителя：1
- Вес единицы：0.352740 oz
- Пакет：Tube
- Основной номер продукта：APT50M50
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：89A (Tc)
- Mfr：Microchip Technology
- Состояние продукта：Active
- Пакетирование：Tube
- Серия：POWER MOS 7®
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：50mOhm @ 44.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 5mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：10550 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：200 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：500 V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 23
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
