(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные APT1201R6SVFRG
Изображение служит лишь для справки
APT1201R6SVFRG
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- D3PAK-3
- MOSFET FG, FREDFET, 1200V, D3, TO-268, RoHSView in Development Tools Selector
Date Sheet
Lagernummer 60
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：D3PAK-3
- Вид крепления：Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства：D3 [S]
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Полярность транзистора：N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：1.2 kV
- Id - Непрерывный ток разряда：8 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：1.6 Ohms
- Усв：- 30 V, + 30 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2 V
- Зарядная характеристика ворот：230 nC
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Распад мощности：280 W
- Режим канала：Enhancement
- Пакетная партия производителя：1
- Вес единицы：0.218699 oz
- Прямоходящий ток вывода Id：8
- Пакет：Tube
- Основной номер продукта：APT1201
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：8A (Tc)
- Mfr：Microchip Technology
- Состояние продукта：Active
- Пакетирование：Tube
- Серия：POWER MOS V®
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：280
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.6Ohm @ 4A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3660 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：230 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：1200 V
- Канальный тип：N
- Характеристика ТРП：-
Со склада 60
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
