Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные APT5024BFLLG
Изображение служит лишь для справки






APT5024BFLLG
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-247-3
- MOSFET FG, FREDFET, 500V, TO-247, RoHSView in Development Tools Selector
Date Sheet
Lagernummer 23
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:Production (Last Updated: 1 month ago)
- Корпус / Кейс:TO-247-3
- Монтаж:Through Hole
- Вид крепления:Through Hole
- Поставщик упаковки устройства:TO-247 [B]
- Монтажные варианты:Through Hole
- Полярность транзистора:N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:500 V
- Id - Непрерывный ток разряда:22 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:240 mOhms
- Усв:- 30 V, + 30 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:3 V
- Зарядная характеристика ворот:43 nC
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Распад мощности:265 W
- Режим канала:Enhancement
- Пакетная партия производителя:1
- Вес единицы:0.211644 oz
- Количество элементов:1
- Номинальное напряжение (постоянное):500 V
- РХОС:Compliant
- Время отключения:18 ns
- Пакет:Tube
- Основной номер продукта:APT5024
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:22A (Tc)
- Mfr:Microchip Technology
- Состояние продукта:Active
- Пакетирование:Tube
- Серия:POWER MOS 7®
- Максимальная рабочая температура:150 °C
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Максимальная потеря мощности:265 W
- Моментальный ток:22 A
- Конфигурация:Single
- Каналов количество:1 Channel
- Распад мощности:265 W
- Время задержки включения:8 ns
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:240mOhm @ 11A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1900 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:43 nC @ 10 V
- Время подъема:6 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):500 V
- Непрерывный ток стока (ID):22 A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):30 V
- Входной ёмкости:1.9 nF
- Характеристика ТРП:-
- Rds на макс.:240 mΩ
- Корпусировка на излучение:No
- Без свинца:Lead Free
Со склада 23
Итого $0.00000