(0)
Изображение служит лишь для справки
APT36GA60B
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-247-3
- IGBT Transistors FG, IGBT, 600V, TO-247View in Development Tools Selector
Date Sheet
Lagernummer 68
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 months ago)
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Монтаж：Through Hole
- Поставщик упаковки устройства：TO-247 [B]
- РХОС：Details
- Монтажные варианты：Through Hole
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：600 V
- Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates：- 30 V, + 30 V
- Распад мощности：290 W
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Пакетная партия производителя：1
- Вес единицы：0.208116 oz
- Пакет：Tube
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：65 A
- Основной номер продукта：APT36GA60
- Mfr：Microchip Technology
- Состояние продукта：Active
- Условия испытания：400V, 20A, 10Ohm, 15V
- Диэлектрический пробой напряжение：600 V
- Пакетирование：Tube
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：POWER MOS 8™
- Максимальная рабочая температура：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Максимальная потеря мощности：290 W
- Конфигурация：Single
- Конфигурация элемента：Single
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：290 W
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：600 V
- Максимальный ток сбора：65 A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：600 V
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.5V @ 15V, 20A
- Тип ИGBT：PT
- Зарядная мощность：102 nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：109 A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：16ns/122ns
- Переключаемый энергопотребление：307µJ (on), 254µJ (off)
- Корпусировка на излучение：No
Со склада 68
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
