(0)
Изображение служит лишь для справки
APT15GN120BDQ1G
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-247-3
- IGBT Transistors FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHSView in Development Tools Selector
Date Sheet
Lagernummer 26
- 1+： $5.91636
- 10+： $5.58147
- 100+： $5.26554
- 500+： $4.96749
- 1000+： $4.68631
Zwischensummenbetrag $5.91636
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Поставщик упаковки устройства：TO-247 [B]
- РХОС：Details
- Монтажные варианты：Through Hole
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：1.2 kV
- Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates：- 30 V, + 30 V
- Распад мощности：195 W
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Пакетная партия производителя：1
- Вес единицы：0.208116 oz
- Пакет：Tube
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：45 A
- Основной номер продукта：APT15GN120
- Mfr：Microchip Technology
- Состояние продукта：Active
- Условия испытания：800V, 15A, 4.3Ohm, 15V
- Пакетирование：Tube
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Конфигурация：Single
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：195 W
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1200 V
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.1V @ 15V, 15A
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Зарядная мощность：90 nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：45 A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：10ns/150ns
- Переключаемый энергопотребление：410µJ (on), 950µJ (off)
Со склада 26
- 1+： $5.91636
- 10+： $5.58147
- 100+： $5.26554
- 500+： $4.96749
- 1000+： $4.68631
Итого $5.91636
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
