Изображение служит лишь для справки






APT15GN120BDQ1G
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-247-3
- IGBT Transistors FG, IGBT, 1200V, TO-247, RoHSView in Development Tools Selector
Date Sheet
Lagernummer 26
- 1+: $5.91636
- 10+: $5.58147
- 100+: $5.26554
- 500+: $4.96749
- 1000+: $4.68631
Zwischensummenbetrag $5.91636
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-247-3
- Поставщик упаковки устройства:TO-247 [B]
- РХОС:Details
- Монтажные варианты:Through Hole
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:1.2 kV
- Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates:- 30 V, + 30 V
- Распад мощности:195 W
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Пакетная партия производителя:1
- Вес единицы:0.208116 oz
- Пакет:Tube
- Максимальный коллекторный ток (Ic):45 A
- Основной номер продукта:APT15GN120
- Mfr:Microchip Technology
- Состояние продукта:Active
- Условия испытания:800V, 15A, 4.3Ohm, 15V
- Пакетирование:Tube
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия:-
- Конфигурация:Single
- Входной тип:Standard
- Мощность - Макс:195 W
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):1200 V
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:2.1V @ 15V, 15A
- Тип ИGBT:Trench Field Stop
- Зарядная мощность:90 nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm):45 A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C:10ns/150ns
- Переключаемый энергопотребление:410µJ (on), 950µJ (off)
Со склада 26
- 1+: $5.91636
- 10+: $5.58147
- 100+: $5.26554
- 500+: $4.96749
- 1000+: $4.68631
Итого $5.91636