(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные APT56F50B2
Изображение служит лишь для справки
APT56F50B2
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- T-MAX-3
- MOSFET FG, FREDFET, 500V, TO-247 T-MAXView in Development Tools Selector
Date Sheet
Lagernummer 99
- 1+： $9.81731
- 10+： $9.26161
- 100+： $8.73737
- 500+： $8.24280
- 1000+： $7.77623
Zwischensummenbetrag $9.81731
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 months ago)
- Корпус / Кейс：T-MAX-3
- Вид крепления：Through Hole
- Монтаж：Through Hole
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество контактов：3
- Поставщик упаковки устройства：T-MAX™ [B2]
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- РХОС：Details
- Монтажные варианты：Through Hole
- Полярность транзистора：N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：500 V
- Id - Непрерывный ток разряда：56 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：100 mOhms
- Усв：- 30 V, + 30 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
- Зарядная характеристика ворот：220 nC
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Распад мощности：780 W
- Режим канала：Enhancement
- Минимальная прямая транконductанс：43 S
- Пакетная партия производителя：1
- Время задержки отключения типичного：100 ns
- Время типичного задержки включения：38 ns
- Вес единицы：0.208116 oz
- Пакет：Tube
- Основной номер продукта：APT56F50
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：56A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：Microchip Technology
- Максимальная мощность рассеяния：780W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Количество элементов：1
- Время отключения：100 ns
- Описание пакета：ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：APT56F50B2
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：MICROSEMI CORP
- Ранг риска：1.5
- Код упаковки компонента：TO-247AB
- Максимальный ток утечки (ID)：56 A
- Пакетирование：Tube
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：POWER MOS 8™
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：Yes
- Конечная обработка контакта：PURE MATTE TIN
- Максимальная рабочая температура：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
- Максимальная потеря мощности：780 W
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：780 W
- Время задержки включения：38 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：100mOhm @ 28A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 2.5mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：8800 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：220 nC @ 10 V
- Время подъема：45 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：500 V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Непрерывный ток стока (ID)：56 A
- Код JEDEC-95：TO-247AB
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30 V
- Сопротивление открытого канала-макс：0.1 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：175 A
- Входной ёмкости：8.8 nF
- Минимальная напряжённость разрушения：500 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：1200 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：-
- Rds на макс.：100 mΩ
- Высота：21.46 mm
- Длина：16.26 mm
- Ширина：5.31 mm
- Корпусировка на излучение：No
Со склада 99
- 1+： $9.81731
- 10+： $9.26161
- 100+： $8.73737
- 500+： $8.24280
- 1000+： $7.77623
Итого $9.81731
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
