(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные MMFT2955ET1
Изображение служит лишь для справки
MMFT2955ET1
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 1200mA, 60V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA, CASE 318E-04, 4 PIN
Date Sheet
Lagernummer 624
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：CASE 318E-04, 4 PIN
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：3
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код упаковки производителя：CASE 318E-04
- Максимальная температура рефлоу：30
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：MMFT2955ET1
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：ON Semiconductor
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：ON SEMICONDUCTOR
- Ранг риска：7.93
- Код упаковки компонента：TO-261AA
- Максимальный ток утечки (ID)：1.2 A
- Код JESD-609：e0
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
- Подкатегория：Other Transistors
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：245
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Число контактов：4
- Код JESD-30：R-PDSO-G4
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-261AA
- Максимальный сливовой ток (ID)：1.2 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.3 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：60 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.8 W
Со склада 624
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
