Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные 2SK3435-AZ
Изображение служит лишь для справки






2SK3435-AZ
-
Renesas Electronics America
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3
- Nch Single Power MOSFET 60V 80A 14mohm MP-25/TO-220AB Automotive
Date Sheet
Lagernummer 1489
- 1+: $2.24933
- 10+: $2.12201
- 100+: $2.00190
- 500+: $1.88858
- 1000+: $1.78168
Zwischensummenbetrag $2.24933
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-220-3
- Поверхностный монтаж:NO
- Поставщик упаковки устройства:TO-220AB
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Прямоходящий ток вывода Id:80
- Пакет:Bulk
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:80A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Mfr:Renesas
- Максимальная мощность рассеяния:1.5W (Ta), 84W (Tc)
- Состояние продукта:Obsolete
- Описание пакета:MP-25, 3 PIN
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Код упаковки производителя:PRSS0004AH-A3
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:2SK3435-AZ
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Renesas Electronics Corporation
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:RENESAS ELECTRONICS CORP
- Ранг риска:5.26
- Код упаковки компонента:MP-25
- Максимальный ток утечки (ID):80 A
- Рабочая температура:150°C
- Серия:-
- Код ECCN:EAR99
- Код ТН ВЭД:8541.29.00.95
- Подкатегория:FET General Purpose Power
- Технология:MOSFET (Metal Oxide)
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Название бренда:Renesas
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:84
- Сокетная связка:DRAIN
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:14mOhm @ 40A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:3200 pF @ 10 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:60 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss):60 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-220AB
- Сопротивление открытого канала-макс:0.022 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:160 A
- Минимальная напряжённость разрушения:60 V
- Канальный тип:N
- Рейтинг энергии лавины (Eas):96 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП:-
Со склада 1489
- 1+: $2.24933
- 10+: $2.12201
- 100+: $2.00190
- 500+: $1.88858
- 1000+: $1.78168
Итого $2.24933