(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRFC11N50AB
Изображение служит лишь для справки
IRFC11N50AB
-
Vishay
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 0.165 X 0.248 INCH, DIE-3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：9 Weeks
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：UNCASED CHIP, R-XUUC-N2
- Форма упаковки：UNCASED CHIP
- Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Артикул Производителя：IRFC11N50AB
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Vishay Intertechnologies
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Ранг риска：5.76
- Код упаковки компонента：DIE
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：NO LEAD
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-XUUC-N2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.52 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：500 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
