(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные 2N7002PW
Изображение служит лишь для справки
2N7002PW
-
NXP USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- TRANSISTOR 310 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SC-70, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal
Date Sheet
Lagernummer 38000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Максимальная температура рефлоу：30
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：2N7002PW
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Nexperia
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Not Recommended
- Описание Samacsys：Trench MOSFET,N channel 60V,310mA SOT323 NXP 2N7002PW N-channel MOSFET Transistor, 0.31 A, 60 V, 3-Pin SOT-323
- Производитель IHS：NEXPERIA
- Ранг риска：5.15
- Максимальный ток утечки (ID)：0.31 A
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Нормативная Марка：AEC-Q101; IEC-60134
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：1.6 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：60 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 38000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
