Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF5210STRL
Изображение служит лишь для справки






IRF5210STRL
-
International Rectifier
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3
Date Sheet
Lagernummer 282400
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности:1
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Максимальная температура рефлоу:30
- Температура работы-Макс:175 °C
- Рохс Код:No
- Артикул Производителя:IRF5210STRL
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:International Rectifier
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
- Ранг риска:7.55
- Код упаковки компонента:D2PAK
- Максимальный ток утечки (ID):38 A
- Код JESD-609:e0
- Безоловая кодировка:No
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
- Дополнительная Характеристика:HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
- Код ТН ВЭД:8541.29.00.95
- Подкатегория:Other Transistors
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):225
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:P-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-263AB
- Максимальный сливовой ток (ID):40 A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.06 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:140 A
- Минимальная напряжённость разрушения:100 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):120 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):200 W
Со склада 282400
Итого $0.00000