(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF5210STRR
Изображение служит лишь для справки
IRF5210STRR
-
International Rectifier
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3
Date Sheet
Lagernummer 515
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Вид крепления：Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства：D2PAK
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS：Contains lead / RoHS non-compliant
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：40A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：3.8W (Ta), 200W (Tc)
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Серия：HEXFET®
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：60 mOhm @ 24A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2700pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：180nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 515
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
