Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FDN338P_NL
Изображение служит лишь для справки






FDN338P_NL
-
Fairchild Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-3
Date Sheet
Lagernummer 35680
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности:1
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Код упаковки производителя:SUPERSOT
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс:150 °C
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:FDN338P_NL
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:Fairchild Semiconductor Corporation
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
- Ранг риска:5.3
- Код упаковки компонента:SOT
- Максимальный ток утечки (ID):1.6 A
- Код JESD-609:e3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика:LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Подкатегория:Other Transistors
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PDSO-G3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:P-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID):1.6 A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.115 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения:20 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):0.5 W
Со склада 35680
Итого $0.00000