(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные 2SK2159
Изображение служит лишь для справки
2SK2159
-
NEC
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Date Sheet
Lagernummer 7300
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：2SK2159
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Renesas Electronics Corporation
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：RENESAS ELECTRONICS CORP
- Ранг риска：5.31
- Максимальный ток утечки (ID)：2 A
- Код JESD-609：e0
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Дополнительная Характеристика：GATE PROTECTED
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSSO-F3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：2 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.5 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：4 A
- Минимальная напряжённость разрушения：60 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：2 W
Со склада 7300
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
