Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы DMN6070SSDQ-13
Изображение служит лишь для справки






DMN6070SSDQ-13
-
Diodes Incorporated
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2
Date Sheet
Lagernummer 9200
- 1+: $0.20323
- 10+: $0.19172
- 100+: $0.18087
- 500+: $0.17063
- 1000+: $0.16097
Zwischensummenbetrag $0.20323
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Поставщик упаковки устройства:8-SO
- Mfr:Diodes Incorporated
- Пакет:Tape & Reel (TR)
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:2.7A (Ta)
- Пакетная партия производителя:2500
- Производитель:Diodes Incorporated
- Бренд:Diodes Incorporated
- РХОС:Details
- Серия:Automotive, AEC-Q101
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакетирование:MouseReel
- Подкатегория:MOSFETs
- Технология:Si
- Мощность - Макс:1.2W (Ta)
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:87mOhm @ 4.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:588pF @ 30V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:12.3nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):60V
- Тип продукта:MOSFET
- Характеристика ТРП:Standard
- Категория продукта:MOSFET
Со склада 9200
- 1+: $0.20323
- 10+: $0.19172
- 100+: $0.18087
- 500+: $0.17063
- 1000+: $0.16097
Итого $0.20323