Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SSM5P15FU,LF
Изображение служит лишь для справки






SSM5P15FU,LF
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
- PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE MOS
Date Sheet
Lagernummer 3008
- 1+: $0.26889
- 10+: $0.25367
- 100+: $0.23931
- 500+: $0.22576
- 1000+: $0.21298
Zwischensummenbetrag $0.26889
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
- Поставщик упаковки устройства:USV
- Mfr:Toshiba Semiconductor and Storage
- Пакет:Tape & Reel (TR)
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:100mA (Ta)
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:30 V
- Время типичного задержки включения:65 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:1.7 V
- Распад мощности:200 mW
- Полярность транзистора:P-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Вес единицы:0.000212 oz
- Пакетная партия производителя:3000
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Минимальная прямая транконductанс:20 mS
- Режим канала:Enhancement
- Производитель:Toshiba
- Бренд:Toshiba
- Торговое наименование:MOSVI
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:12 Ohms
- РХОС:Details
- Время задержки отключения типичного:175 ns
- Id - Непрерывный ток разряда:100 mA
- Серия:-
- Рабочая температура:150°C
- Пакетирование:Cut Tape
- Подкатегория:MOSFETs
- Технология:Si
- Конфигурация:Dual
- Каналов количество:2 Channel
- Мощность - Макс:200mW (Ta)
- Тип ТРВ:2 P-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:12Ohm @ 10mA, 4V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1.7V @ 100μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:9.1pF @ 3V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:-
- Напряжение стока-исток (Vdss):30V
- Тип продукта:MOSFET
- Характеристика ТРП:Standard
- Категория продукта:MOSFET
Со склада 3008
- 1+: $0.26889
- 10+: $0.25367
- 100+: $0.23931
- 500+: $0.22576
- 1000+: $0.21298
Итого $0.26889