(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные R6509KNXC7G
Изображение служит лишь для справки
R6509KNXC7G
-
Rohm Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3 Full Pack
- 650V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Date Sheet
Lagernummer 3571
- 1+： $2.35863
- 10+： $2.22512
- 100+： $2.09917
- 500+： $1.98035
- 1000+： $1.86825
Zwischensummenbetrag $2.35863
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3 Full Pack
- Поставщик упаковки устройства：TO-220FM
- Mfr：Rohm Semiconductor
- Пакет：Tube
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：9A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：48W (Tc)
- MSL：MSL 1 - Unlimited
- Квалификация：-
- Прямоходящий ток вывода Id：9A
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：650 V
- Время типичного задержки включения：20 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：5 V
- Распад мощности：48 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 20 V, + 20 V, - 30 V, + 30 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：1000
- Монтажные варианты：Through Hole
- Режим канала：Enhancement
- Производитель：ROHM Semiconductor
- Бренд：ROHM Semiconductor
- Зарядная характеристика ворот：16.5 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：585 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：38 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：9 A
- Серия：-
- Рабочая температура：150°C (TJ)
- Пакетирование：Tube
- Подкатегория：MOSFETs
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：48W
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：585mOhm @ 2.8A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 230μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：540 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：16.5 nC @ 10 V
- Время подъема：20 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：650 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Тип продукта：MOSFET
- Тип транзистора：Power MOSFET
- Канальный тип：N Channel
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 3571
- 1+： $2.35863
- 10+： $2.22512
- 100+： $2.09917
- 500+： $1.98035
- 1000+： $1.86825
Итого $2.35863
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
