(0)
Изображение служит лишь для справки
2N3838/TR
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы
- 6-FlatPack
- TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
Date Sheet
Lagernummer 46
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-FlatPack
- Поставщик упаковки устройства：6-Flatpack
- Mfr：Microchip Technology
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Состояние продукта：Active
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：600mA
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：5 V
- Распад мощности：350 mW
- Полярность транзистора：NPN, PNP
- Максимальная рабочая температура：+ 200 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：35 at 100 uA, 10 V
- Минимальная температура работы：- 65 C
- Пакетная партия производителя：1
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Производитель：Microchip
- Бренд：Microchip Technology
- Максимальный постоянный ток сбора：600 mA
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE：300 at 150 mA, 10 V
- РХОС：N
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：40 V
- Серия：-
- Рабочая температура：-65°C ~ 200°C (TJ)
- Пакетирование：Reel
- Подкатегория：Transistors
- Технология：Si
- Конфигурация：Dual
- Мощность - Макс：350mW
- Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
- Тип транзистора：NPN, PNP
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 150mA, 10V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：10μA (ICBO)
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：400mV @ 15mA, 150mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：40V
- Частота - Переход：-
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：60 V
- Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT
Со склада 46
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
