Изображение служит лишь для справки






JAN2N6989U/TR
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы
- 6-SMD, No Lead
- TRANSISTOR QUAD SMALL-SIGNAL BJT
Date Sheet
Lagernummer 14
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:6-SMD, No Lead
- Поставщик упаковки устройства:6-SMD
- Mfr:Microchip Technology
- Пакет:Tape & Reel (TR)
- Состояние продукта:Active
- Максимальный коллекторный ток (Ic):800mA
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:6 V
- Распад мощности:1 W
- Полярность транзистора:NPN
- Максимальная рабочая температура:+ 200 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:30 at 500mA, 10 V
- Минимальная температура работы:- 65 C
- Пакетная партия производителя:1
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Производитель:Microchip
- Бренд:Microchip / Microsemi
- Максимальный постоянный ток сбора:800 mA
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE:325 at 1 mA, 10 V
- РХОС:N
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:50 V
- Серия:Military, MIL-PRF-19500/559
- Рабочая температура:-65°C ~ 200°C (TJ)
- Подкатегория:Transistors
- Технология:Si
- Конфигурация:Quad
- Мощность - Макс:1W
- Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
- Тип транзистора:4 PNP (Quad)
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:100 @ 150mA, 10V
- Ток - отсечка коллектора (макс):10nA (ICBO)
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:1V @ 50mA, 500mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):50V
- Частота - Переход:-
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):75 V
- Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT
Со склада 14
Итого $0.00000