(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные EMB52T2R
Изображение служит лишь для справки
EMB52T2R
-
Rohm Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- SOT-563, SOT-666
- PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Date Sheet
Lagernummer 6964
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 years ago)
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-563, SOT-666
- Монтаж：Surface Mount
- Поверхностный монтаж：YES
- Поставщик упаковки устройства：EMT6
- Количество терминалов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Mfr：Rohm Semiconductor
- Состояние продукта：Active
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：100mA
- Число элементов на чипе：2
- Формат упаковки：SOT-563
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：-50 V
- Максимальный постоянный ток сбора：100 mA
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока：80
- MSL：MSL 1 - Unlimited
- Квалификация：-
- Полярность транзистора：Dual PNP
- Характеристика Коэффициент резистора：1
- Распад мощности：150 mW
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Типовой входной резистор：47 kOhms
- Пакетная партия производителя：8000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Партийные обозначения：EMB52
- Производитель：ROHM Semiconductor
- Бренд：ROHM Semiconductor
- Максимальная частота работы：250 MHz
- РХОС：Details
- Описание пакета：ROHS COMPLIANT, EMT6, SC-107C, 6 PIN
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Рохс Код：Yes
- Траниционный частотный предел (fT)：250 MHz
- Артикул Производителя：EMB52T2R
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Количество элементов：2
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：ROHM CO LTD
- Ранг риска：2.36
- Серия：-
- Пакетирование：Cut Tape
- Код ECCN：EAR99
- Подкатегория：Transistors
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：6
- Код JESD-30：R-PDSO-F6
- Выводной напряжение：150 mV
- Конфигурация：Dual
- Распад мощности：150mW
- Мощность - Макс：150mW
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：PNP
- Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
- Тип транзистора：2 PNP Pre-Biased (Dual)
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：80 @ 5mA, 10V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：150mV @ 500μA, 5mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50V
- Частота - Переход：250MHz
- Максимальный ток коллектора (IC)：0.1 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：80
- База (R1)：47kOhms
- Прямоходящий ток коллектора：100mA
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：47kOhms
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：50 V
- Категория продукта：Bipolar Transistors - Pre-Biased
Со склада 6964
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
