(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные UMH33NTN
Изображение служит лишь для справки
UMH33NTN
-
Rohm Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- NPN+NPN, SOT-363, DUAL DIGITAL T
Date Sheet
Lagernummer 2698
- 1+： $0.55159
- 10+： $0.52037
- 100+： $0.49092
- 500+： $0.46313
- 1000+： $0.43691
Zwischensummenbetrag $0.55159
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 years ago)
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Монтаж：Surface Mount
- Поверхностный монтаж：YES
- Поставщик упаковки устройства：UMT6
- Количество терминалов：6
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Mfr：Rohm Semiconductor
- Состояние продукта：Active
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：400mA
- Формат упаковки：UMT
- Типовой входной резистор：2.2
- Коллекторный ток (постоянный)：0.4(A)
- Максимальное напряжение эмиттора-коллектора：20(V)
- Уголок постоянного тока：820@10MA@5V
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：40 V
- Распад мощности：150 mW
- Полярность транзистора：NPN
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：820
- Пакетная партия производителя：3000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Партийные обозначения：UMH33N
- Производитель：ROHM Semiconductor
- Бренд：ROHM Semiconductor
- Максимальная частота работы：35 MHz
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：20 V
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：10
- Рохс Код：Yes
- Траниционный частотный предел (fT)：35 MHz
- Артикул Производителя：UMH33NTN
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Количество элементов：2
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：ROHM CO LTD
- Ранг риска：1.77
- Серия：-
- Пакетирование：Tape and Reel
- Код JESD-609：e2
- Тип：NPN
- Конечная обработка контакта：Tin/Copper (Sn/Cu)
- Дополнительная Характеристика：BUILT IN BIAS RESISTOR
- Подкатегория：Transistors
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：R-PDSO-G6
- Конфигурация：Dual
- Распад мощности：0.15(W)
- Мощность - Макс：150mW
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
- Тип транзистора：2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：820 @ 10mA, 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA (ICBO)
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：100mV @ 3mA, 30mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：20V
- Частота - Переход：35MHz
- Максимальный ток коллектора (IC)：0.4 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：820
- База (R1)：2.2kOhms
- Прямоходящий ток коллектора：0.4 A
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：-
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：20 V
- Категория продукта：Bipolar Transistors - Pre-Biased
- Без свинца：Lead Free
Со склада 2698
- 1+： $0.55159
- 10+： $0.52037
- 100+： $0.49092
- 500+： $0.46313
- 1000+： $0.43691
Итого $0.55159
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
