(0)
Изображение служит лишь для справки
2SC2620QBTR-E
-
Renesas Electronics America Inc
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - РЧ
- -
- RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST
Date Sheet
Lagernummer 4434
- 1+： $0.23611
- 10+： $0.22274
- 100+： $0.21013
- 500+： $0.19824
- 1000+： $0.18702
Zwischensummenbetrag $0.23611
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：1 Week
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Mfr：Renesas Electronics America Inc
- Пакет：Bulk
- Состояние продукта：Active
- Ранг риска：5.05
- Производитель IHS：RENESAS ELECTRONICS CORP
- Код цикла жизни компонента：Active
- Количество элементов：1
- Производитель：Renesas Electronics Corporation
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Артикул Производителя：2SC2620QBTR-E
- Траниционный частотный предел (fT)：940 MHz
- Рохс Код：Yes
- Максимальная температура рефлоу：20
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Описание пакета：MPAK-3
- Серия：*
- Код JESD-609：e6
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：NPN
- Максимальный ток коллектора (IC)：0.02 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：20 V
- Частотная полоса наивысшего режима：VERY HIGH FREQUENCY BAND
- Сопротивление базы-эмиттора макс：1.2 pF
Со склада 4434
- 1+： $0.23611
- 10+： $0.22274
- 100+： $0.21013
- 500+： $0.19824
- 1000+： $0.18702
Итого $0.23611
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
