(0)
Изображение служит лишь для справки
MMBT5551-G
-
Comchip Technology
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - РЧ
- -
- RF Bipolar Transistors VCEO=160V IC=600mA
Date Sheet
Lagernummer 86003
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- РХОС：Details
- Пакетная партия производителя：3000
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：30
- Рохс Код：Yes
- Траниционный частотный предел (fT)：100 MHz
- Артикул Производителя：MMBT5551-G
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Not Recommended
- Производитель IHS：COMCHIP TECHNOLOGY CO LTD
- Ранг риска：7.87
- Серия：MMBT5551
- Пакетирование：MouseReel
- Код JESD-609：e3
- Тип：RF Bipolar Power
- Конечная обработка контакта：TIN
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Конфигурация：SINGLE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：Bipolar Power
- Максимальный ток коллектора (IC)：0.6 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：50
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：160 V
Со склада 86003
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
