TJ90S04M3L,LXHQ

Name: Toshiba Semiconductor and Storage TJ90S04M3L,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
Rating: 4.9 (16 reviews)

Toshiba Semiconductor and Storage
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET P-CH 40V 90A DPAK
Date Sheet

Lagernummer 3420

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Поставщик упаковки устройства：DPAK+
Mfr：Toshiba Semiconductor and Storage
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：90A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
Максимальная мощность рассеяния：180W (Tc)
Основной номер продукта：TJ90S04
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：40 V
Время типичного задержки включения：94 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2 V
Квалификация：AEC-Q101
Распад мощности：180 W
Полярность транзистора：P-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Усв：- 20 V, + 10 V
Вес единицы：0.012699 oz
Минимальная температура работы：-
Пакетная партия производителя：2000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Партийные обозначения：TJ90S04M3L,LXHQ(O
Производитель：Toshiba
Бренд：Toshiba
Зарядная характеристика ворот：172 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：4.3 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：1305 ns
Id - Непрерывный ток разряда：90 A
Серия：U-MOSVI
Рабочая температура：175°C
Пакетирование：Cut Tape
Подкатегория：MOSFETs
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Тип ТРВ：P-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4.3mOhm @ 45A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：7700 pF @ 10 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：172 nC @ 10 V
Время подъема：76 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：40 V
Угол настройки (макс.)：+10V, -20V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 P-Channel
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 3420

Итого $0.00000