(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные TK160F10N1,LXGQ
Изображение служит лишь для справки
TK160F10N1,LXGQ
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Date Sheet
Lagernummer 2994
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Поставщик упаковки устройства：TO-220SM(W)
- Mfr：Toshiba Semiconductor and Storage
- Состояние продукта：Not For New Designs
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：160A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：375W (Tc)
- Основной номер продукта：TK160F10
- Серия：U-MOSVIII-H
- Рабочая температура：175°C
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.4mOhm @ 80A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：8510 pF @ 10 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：121 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 2994
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
