NTE69

Name: NTE Electronics, Inc NTE69
Brand: NTE Electronics, Inc
Rating: 5 (20 reviews)

NTE Electronics, Inc
Транзисторы - Биполярные (BJT) - РЧ
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
RF TRANS NPN 25V 1.1GHZ TO92
Date Sheet

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Поверхностный монтаж：NO
Поставщик упаковки устройства：TO-92
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Mfr：NTE Electronics, Inc
Пакет：Bag
Состояние продукта：Active
Максимальный коллекторный ток (Ic)：50mA
Артикул Производителя：NTE69
Производитель：NTE Electronics
Описание пакета：TO-92, 3 PIN
Форма упаковки：CYLINDRICAL
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Траниционный частотный предел (fT)：1100 MHz
Форма упаковки：ROUND
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：NTE ELECTRONICS INC
Ранг риска：2.15
Код упаковки компонента：TO-92
Серия：-
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Код ECCN：EAR99
Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
Подкатегория：Other Transistors
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：WIRE
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：3
Код JESD-30：O-PBCY-W3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE
Мощность - Макс：350mW
Применение транзистора：AMPLIFIER
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：25 @ 4mA, 4V
Код JEDEC-95：TO-92
Увеличение：-
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：25V
Частота - Переход：1.1GHz
Максимальная потеря мощности (абс.)：0.25 W
Максимальный ток коллектора (IC)：0.05 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：70
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：25 V
Частотная полоса наивысшего режима：VERY HIGH FREQUENCY BAND
Сопротивление базы-эмиттора макс：1 pF
Шумовая фигура (дБ тип @ ф)：-
Максимальная мощность dissipation окружающей среды：1 W

Со склада 0

Итого $0.00000