(0)
Изображение служит лишь для справки
NTE313
-
NTE Electronics, Inc
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - РЧ
- 3-SMD, Flat Lead
- RF TRANS NPN 30V 530MHZ 3SMD
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：3-SMD, Flat Lead
- Монтаж：Surface Mount
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：3
- Поставщик упаковки устройства：3-SMD
- Вес：7.257478 g
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Mfr：NTE Electronics, Inc
- Пакет：Bag
- Состояние продукта：Active
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：20mA
- Артикул Производителя：NTE313
- Производитель：NTE Electronics
- РХОС：Compliant
- Описание пакета：DISK BUTTON, O-CRDB-F3
- Форма упаковки：DISK BUTTON
- Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Траниционный частотный предел (fT)：530 MHz
- Форма упаковки：ROUND
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：NTE ELECTRONICS INC
- Ранг риска：5.76
- Серия：-
- Рабочая температура：150°C (TJ)
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная рабочая температура：150 °C
- Минимальная температура работы：-60 °C
- Дополнительная Характеристика：LOW NOISE
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
- Подкатегория：Other Transistors
- Положение терминала：RADIAL
- Форма вывода：FLAT
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：O-CRDB-F3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Мощность - Макс：150mW
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип транзистора：NPN
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：30 V
- Максимальный ток сбора：20 mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：20 @ 2mA, 10V
- Увеличение：23dB
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：30V
- Частота - Переход：530MHz
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：30 V
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.15 W
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：4 V
- Максимальный ток коллектора (IC)：0.02 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：25
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：30 V
- Частотная полоса наивысшего режима：VERY HIGH FREQUENCY BAND
- Сопротивление базы-эмиттора макс：1 pF
- Шумовая фигура (дБ тип @ ф)：2.5dB @ 200MHz
- Ширина：76.2 mm
- Высота：12.7 mm
- Длина：152.4 mm
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
