(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIHB17N80E-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SIHB17N80E-T1-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK
Date Sheet
Lagernummer 16
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Поставщик упаковки устройства：D2PAK (TO-263)
- Mfr：Vishay Siliconix
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：15A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：208W (Tc)
- Основной номер продукта：SIHB17
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：800 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2 V
- Распад мощности：208 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 30 V, + 30 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：800
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Режим канала：Enhancement
- Производитель：Vishay
- Бренд：Vishay / Siliconix
- Зарядная характеристика ворот：122 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：290 mOhms
- РХОС：Details
- Id - Непрерывный ток разряда：15 A
- Серия：-
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакетирование：MouseReel
- Подкатегория：MOSFETs
- Каналов количество：1 Channel
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：290mOhm @ 8.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2408 pF @ 100 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：122 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：800 V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Тип продукта：MOSFET
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 16
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
