(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIR104LDP-T1-RE3
Изображение служит лишь для справки
SIR104LDP-T1-RE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Date Sheet
Lagernummer 21710
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Mfr：Vishay Siliconix
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：18.8A (Ta), 81A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Максимальная мощность рассеяния：5.4W (Ta), 100W (Tc)
- Основной номер продукта：SIR104
- Число элементов на чипе：1
- Формат упаковки：PowerPAK SO-8
- Режим канала：Enhancement
- Квалификация：-
- Прямоходящий ток вывода Id：81A
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：100 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3 V
- Распад мощности：100 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：3000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Производитель：Vishay
- Бренд：Vishay Semiconductors
- Зарядная характеристика ворот：73 nC
- Торговое наименование：PowerPAK
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：6.1 mOhms
- РХОС：Details
- Id - Непрерывный ток разряда：81 A
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакетирование：MouseReel
- Подкатегория：MOSFETs
- Число контактов：8
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：100W
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：6.1mOhm @ 15A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：4870 pF @ 50 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：110 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：100 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Тип продукта：MOSFET
- Канальный тип：N
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 21710
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
