BSO615CGXUMA1

Name: Infineon Technologies BSO615CGXUMA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.6 (17 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
MOSFET N/P-CH 8-SOIC
Date Sheet

Lagernummer 486

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Поставщик упаковки устройства：PG-DSO-8
Mfr：Infineon Technologies
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3.1A (Ta), 2A (Ta)
Основной номер продукта：BSO615
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：60 V
Чувствительный к влажности：Yes
Время типичного задержки включения：16 ns, 24 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：1.6 V, 1.5 V
Распад мощности：2 W
Полярность транзистора：N-Channel, P-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：2500
Монтажные варианты：SMD/SMT
Минимальная прямая транконductанс：1.2 S, 2.5 S
Режим канала：Enhancement
Партийные обозначения：BSO615C G SP005353856
Производитель：Infineon
Бренд：Infineon Technologies
Зарядная характеристика ворот：13.5 nC, 15 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：70 mOhms, 190 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：25 ns, 125 ns
Id - Непрерывный ток разряда：3.1 A, 2 A
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакетирование：Cut Tape
Подкатегория：MOSFETs
Технология：Si
Каналов количество：2 Channel
Мощность - Макс：2W (Ta)
Тип ТРВ：N and P-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：110mOhm @ 3.1A, 10V, 300mOhm @ 2A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 20μA, 2V @ 450μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：380pF @ 25V, 460pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：22.5nC @ 10V, 20nC @ 10V
Время подъема：75 ns, 105 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel, 1 P-Channel
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Категория продукта：MOSFET

Со склада 486

Итого $0.00000