(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы GT650N15K
Изображение служит лишь для справки
GT650N15K
-
GOFORD
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- 150V 20A 59mΩ@10V,10A 68W 3.3V@250uA 10.8pF@75V N Channel 600pF@75V 12nC@10V -55℃~+175℃@(Tj) TO-252 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 399
- 1+： $0.27812
- 10+： $0.26238
- 100+： $0.24753
- 500+： $0.23351
- 1000+： $0.22030
Zwischensummenbetrag $0.27812
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Поставщик упаковки устройства：TO-252
- Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：20A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：Goford Semiconductor
- Максимальная мощность рассеяния：68W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Серия：-
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：65mOhm @ 10A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4.5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：600 pF @ 75 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：12 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：150 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 399
- 1+： $0.27812
- 10+： $0.26238
- 100+： $0.24753
- 500+： $0.23351
- 1000+： $0.22030
Итого $0.27812
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
