(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы G65P06D5
Изображение служит лишь для справки
G65P06D5
-
GOFORD
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-PowerTDFN
- 60V 60A 130W 13mΩ@10V,20A 2.6V@250uA 234pF@25V P Channel 5814pF@25V 75nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) DFN5x6-8L MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 356
- 1+： $0.50303
- 10+： $0.47456
- 100+： $0.44770
- 500+： $0.42236
- 1000+： $0.39845
Zwischensummenbetrag $0.50303
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
- Поставщик упаковки устройства：8-DFN (4.9x5.75)
- Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：60A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：Goford Semiconductor
- Максимальная мощность рассеяния：130W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：18mOhm @ 20A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3.5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：5814 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：75 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 356
- 1+： $0.50303
- 10+： $0.47456
- 100+： $0.44770
- 500+： $0.42236
- 1000+： $0.39845
Итого $0.50303
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
