(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы GT025N06D5
Изображение служит лишь для справки
GT025N06D5
-
GOFORD
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-PowerTDFN
- DFN5x6 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 654
- 1+： $0.44309
- 10+： $0.41801
- 100+： $0.39435
- 500+： $0.37203
- 1000+： $0.35097
Zwischensummenbetrag $0.44309
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
- Поставщик упаковки устройства：8-DFN (5.2x5.86)
- Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：95A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Mfr：Goford Semiconductor
- Максимальная мощность рассеяния：120W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：2.7mOhm @ 20A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：5950 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：93 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 654
- 1+： $0.44309
- 10+： $0.41801
- 100+： $0.39435
- 500+： $0.37203
- 1000+： $0.35097
Итого $0.44309
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
