(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NP82N04NLG-S18-AY
Изображение служит лишь для справки
NP82N04NLG-S18-AY
-
Renesas
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- NP82N04NLG-S18-AY
Date Sheet
Lagernummer 2550
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：1 Week
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Поверхностный монтаж：NO
- Поставщик упаковки устройства：TO-262
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Пакет：Tube
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：82A (Tc)
- Mfr：Renesas Electronics America Inc
- Максимальная мощность рассеяния：1.8W (Ta), 143W (Tc)
- Состояние продукта：Obsolete
- Описание пакета：IN-LINE, R-PSIP-T3
- Форма упаковки：IN-LINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код упаковки производителя：PRSS0004AM-A3
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：175 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：NP82N04NLG-S18-AY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Renesas Electronics Corporation
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：RENESAS ELECTRONICS CORP
- Ранг риска：5.82
- Код упаковки компонента：MP-25SK
- Максимальный ток утечки (ID)：82 A
- Рабочая температура：175°C
- Серия：Automotive, AEC-Q101
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSIP-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Название бренда：Renesas
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4.2mOhm @ 41A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：9000 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：150 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：40 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-262AA
- Максимальный сливовой ток (ID)：82 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.0085 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：328 A
- Минимальная напряжённость разрушения：40 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：143 W
- Характеристика ТРП：-
Со склада 2550
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
