(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF640S
Изображение служит лишь для справки
IRF640S
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 18A, 200V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：30
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：IRF640S
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Vishay Siliconix
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：VISHAY SILICONIX
- Ранг риска：5.01
- Код упаковки компонента：D2PAK
- Максимальный ток утечки (ID)：18 A
- Код JESD-609：e0
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN LEAD
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：240
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：4
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-263AB
- Сопротивление открытого канала-макс：0.18 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：72 A
- Минимальная напряжённость разрушения：200 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：580 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
