(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные RJK03E3DNS-00#J5
Изображение служит лишь для справки
RJK03E3DNS-00#J5
-
Renesas
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerWDFN
- RJK03E3DNS-00#J5
Date Sheet
Lagernummer 565
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerWDFN
- Поставщик упаковки устройства：8-HWSON (3.3x3.3)
- Пакет：Bulk
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：14A (Ta)
- Mfr：Renesas Electronics America Inc
- Максимальная мощность рассеяния：10W (Tc)
- Состояние продукта：Obsolete
- Рабочая температура：150°C (TJ)
- Серия：-
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：11.6mOhm @ 7A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：-
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1050 pF @ 10 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：5.7 nC @ 4.5 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30 V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 565
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
