Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BUK7628-55A
Изображение служит лишь для справки






BUK7628-55A
-
NXP USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- TRANSISTOR 42 A, 55 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET General Purpose Power
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Описание пакета:PLASTIC, D2PAK-3
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности:1
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс:175 °C
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:BUK7628-55A
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:NXP Semiconductors
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Transferred
- Производитель IHS:NXP SEMICONDUCTORS
- Ранг риска:5.19
- Максимальный ток утечки (ID):42 A
- Код JESD-609:e3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Подкатегория:FET General Purpose Power
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID):42 A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.028 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:168 A
- Минимальная напряжённость разрушения:55 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):58 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):99 W
Со склада 0
Итого $0.00000