(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSC059N03SGAUMA1
Изображение служит лишь для справки
BSC059N03SGAUMA1
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 30V, 0.0086ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Артикул Производителя：BSC059N03SGAUMA1
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Infineon Technologies AG
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска：5.83
- Максимальный ток утечки (ID)：17.5 A
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：FLAT
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PDSO-F8
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.0086 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：200 A
- Минимальная напряжённость разрушения：30 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：150 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
