(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BLF246,112
Изображение служит лишь для справки
BLF246,112
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Код упаковки производителя：SOT121B
- Температура работы-Макс：200 °C
- Артикул Производителя：BLF246,112
- Форма упаковки：ROUND
- Производитель：NXP Semiconductors
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：NXP SEMICONDUCTORS
- Ранг риска：5.31
- Максимальный ток утечки (ID)：13 A
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：LOW NOISE
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.75
- Положение терминала：RADIAL
- Форма вывода：FLAT
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：2
- Код JESD-30：O-CRFM-F4
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Название бренда：NXP Semiconductor
- Конфигурация：SINGLE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：ISOLATED
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Минимальная напряжённость разрушения：65 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Частотная полоса наивысшего режима：VERY HIGH FREQUENCY BAND
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
