(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NP80N055MDG-S18-AY
Изображение служит лишь для справки
NP80N055MDG-S18-AY
-
Renesas
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- NP80N055MDG-S18-AY
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：1 Week
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：LEAD FREE, MP-25K, TO-220, 3 PIN
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Код упаковки производителя：PRSS0004AN-A3
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：175 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：NP80N055MDG-S18-AY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Renesas Electronics Corporation
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：RENESAS ELECTRONICS CORP
- Ранг риска：5.83
- Код упаковки компонента：MP-25K
- Максимальный ток утечки (ID)：80 A
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Название бренда：Renesas
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Максимальный сливовой ток (ID)：80 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.0069 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：200 A
- Минимальная напряжённость разрушения：55 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：115 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
