Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

NTE2946

Lagernummer 359

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Вид крепления:Through Hole
  • Корпус / Кейс:TO-220-3 Full Pack
  • Поверхностный монтаж:NO
  • Поставщик упаковки устройства:TO-220 Full Pack
  • Количество терминалов:3
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Артикул Производителя:NTE2946
  • Производитель:NTE Electronics
  • Пакет:Bag
  • Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:4.6A
  • Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
  • Mfr:NTE Electronics, Inc
  • Максимальная мощность рассеяния:40W (Tc)
  • Состояние продукта:Active
  • Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
  • Форма упаковки:FLANGE MOUNT
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Количество элементов:1
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:NTE ELECTRONICS INC
  • Ранг риска:2.12
  • Код упаковки компонента:TO-220AB
  • Максимальный ток утечки (ID):4.6 A
  • Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Серия:-
  • Код ECCN:EAR99
  • Дополнительная Характеристика:HIGH RELIABILITY
  • Технология:MOSFET (Metal Oxide)
  • Положение терминала:SINGLE
  • Форма вывода:THROUGH-HOLE
  • Код соответствия REACH:unknown
  • Число контактов:3
  • Код JESD-30:R-PSFM-T3
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Сокетная связка:ISOLATED
  • Тип ТРВ:N-Channel
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:850mOhm @ 4A, 10V
  • Втс(th) (Макс) @ Id:4V @ 250µA
  • Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:1510 pF @ 25 V
  • Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:74 nC @ 10 V
  • Напряжение стока-исток (Vdss):500 V
  • Угол настройки (макс.):±20V
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Код JEDEC-95:TO-220AB
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.85 Ω
  • Максимальный импульсный ток вывода:32 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:500 V
  • Рейтинг энергии лавины (Eas):161 mJ
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Характеристика ТРП:Standard

Со склада 359

Итого $0.00000