Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные UPA1500H
Изображение служит лишь для справки






UPA1500H
-
NEC
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.24ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:12
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Описание пакета:IN-LINE, R-PSIP-T12
- Форма упаковки:IN-LINE
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Артикул Производителя:UPA1500H
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Производитель:NEC Electronics Group
- Количество элементов:4
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:NEC ELECTRONICS CORP
- Ранг риска:8.38
- Максимальный ток утечки (ID):3 A
- Код ECCN:EAR99
- Код ТН ВЭД:8541.29.00.95
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:R-PSIP-T12
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:COMPLEX
- Режим работы:DEPLETION MODE
- Сокетная связка:ISOLATED
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.24 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:12 A
- Минимальная напряжённость разрушения:60 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000