(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRF1010EZL
Изображение служит лишь для справки
IRF1010EZL
-
International Rectifier
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, PLASTIC, TO-262, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Поставщик упаковки устройства：TO-262
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS：Contains lead / RoHS non-compliant
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：75A (Tc)
- Другие Названия：*IRF1010EZL
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：140W (Tc)
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Серия：HEXFET®
- Пакетирование：Tube
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：8.5 mOhm @ 51A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 100µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2810pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：86nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
