NTE249

Name: NTE Electronics, Inc. NTE249
Brand: NTE Electronics, Inc.
Rating: 4.6 (16 reviews)

NTE Electronics, Inc.
Дискретные полупроводниковые
TO-204AA, TO-3
Power Bipolar Transistor, 16A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin
Date Sheet

Lagernummer 1

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-204AA, TO-3
Поверхностный монтаж：NO
Поставщик упаковки устройства：TO-3
Количество терминалов：2
Материал элемента транзистора：SILICON
Артикул Производителя：NTE249
Производитель：NTE Electronics
Пакет：Bag
Максимальный коллекторный ток (Ic)：16 A
Mfr：NTE Electronics, Inc
Состояние продукта：Active
Описание пакета：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Материал корпуса пакета：METAL
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Рохс Код：Yes
Форма упаковки：ROUND
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：NTE ELECTRONICS INC
Ранг риска：1.74
Рабочая температура：-55°C ~ 200°C (TJ)
Серия：-
Код ECCN：EAR99
Подкатегория：Other Transistors
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：PIN/PEG
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Код JESD-30：O-MBFM-P2
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
Сокетная связка：COLLECTOR
Мощность - Макс：150 W
Применение транзистора：AMPLIFIER
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN - Darlington
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：1000 @ 10A, 3V
Ток - отсечка коллектора (макс)：3mA
Код JEDEC-95：TO-3
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：4V @ 80mA, 16A
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：100 V
Частота - Переход：-
Максимальная потеря мощности (абс.)：150 W
Максимальный ток коллектора (IC)：16 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：1000
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：100 V
Максимальная мощность dissipation окружающей среды：150 W

Со склада 1

Итого $0.00000