NTE159M

Name: NTE Electronics, Inc. NTE159M
Brand: NTE Electronics, Inc.
Rating: 4.6 (18 reviews)

NTE Electronics, Inc.
Дискретные полупроводниковые
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 1-Element, Silicon, PNP, TO-18, TO-18, 3 PIN
Date Sheet

Lagernummer 8

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Поверхностный монтаж：NO
Поставщик упаковки устройства：TO-18
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Артикул Производителя：NTE159M
Производитель：NTE Electronics
Пакет：Bag
Максимальный коллекторный ток (Ic)：600 mA
Mfr：NTE Electronics, Inc
Состояние продукта：Active
Описание пакета：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Форма упаковки：CYLINDRICAL
Материал корпуса пакета：METAL
Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
Рохс Код：Yes
Траниционный частотный предел (fT)：200 MHz
Форма упаковки：ROUND
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：NTE ELECTRONICS INC
Ранг риска：2.08
Код упаковки компонента：BCY
Рабочая температура：-65°C ~ 200°C (TJ)
Серия：-
Дополнительная Характеристика：LOW NOISE
Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
Подкатегория：Other Transistors
Положение терминала：BOTTOM
Форма вывода：WIRE
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：3
Код JESD-30：O-MBCY-W3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE
Мощность - Макс：1.8 W
Применение транзистора：AMPLIFIER
Полярность/Тип канала：PNP
Тип транзистора：PNP
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 150mA, 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)：50nA
Код JEDEC-95：TO-18
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.6V @ 50mA, 500mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：60 V
Частота - Переход：200MHz
Максимальная потеря мощности (абс.)：0.4 W
Максимальный ток коллектора (IC)：0.6 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：100

Со склада 8

Итого $0.00000