(0)
Изображение служит лишь для справки
2SD2387-B
-
Toshiba
-
Дискретные полупроводниковые
- -
- TRANSISTOR 8 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-16C1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：LEAD FREE, 2-16C1A, 3 PIN
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Траниционный частотный предел (fT)：30 MHz
- Артикул Производителя：2SD2387-B
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Toshiba America Electronic Components
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：TOSHIBA CORP
- Ранг риска：5.7
- Конечная обработка контакта：NOT SPECIFIED
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：NPN
- Максимальный ток коллектора (IC)：8 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：9000
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：140 V
- Максимальное напряжение на выходе：2.5 V
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：80 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
