Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FQA7N65C
Изображение служит лишь для справки






FQA7N65C
-
Fairchild Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 650V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Количество контактов:3
- РХОС:Compliant
- Время отключения:90 ns
- Максимальная рабочая температура:150 °C
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Конфигурация элемента:Single
- Распад мощности:173 W
- Время подъема:50 ns
- Непрерывный ток стока (ID):7 A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):30 V
- Напряжение пробоя стока к истоку:650 V
- Сопротивление стока к истоку:1.4 Ω
Со склада 0
Итого $0.00000