(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRLMS6802TR
Изображение служит лишь для справки
IRLMS6802TR
-
International Rectifier
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SOT-23-6
- Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 20V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MICRO-6
Date Sheet
Lagernummer 2000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-23-6
- Монтаж：Surface Mount
- Количество контактов：6
- Поставщик упаковки устройства：Micro6™(SOT23-6)
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS：Contains lead / RoHS non-compliant
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：5.6A (Ta)
- Другие Названия：*IRLMS6802TR IRLMS6802 IRLMS6802CT
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：2.5V, 4.5V
- Максимальная мощность рассеяния：2W (Ta)
- Количество элементов：1
- Номинальное напряжение (постоянное)：-20 V
- РХОС：Compliant
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：HEXFET®
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Максимальная потеря мощности：2 W
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Моментальный ток：-5.6 A
- Распад мощности：2 W
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：50 mOhm @ 5.1A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.2V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1079pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：16nC @ 5V
- Время подъема：33 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Угол настройки (макс.)：±12V
- Непрерывный ток стока (ID)：5.6 A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：12 V
- Входной ёмкости：1.079 nF
- Характеристика ТРП：-
- Сопротивление стока к истоку：50 mΩ
- Rds на макс.：50 mΩ
- Без свинца：Contains Lead
Со склада 2000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
